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无线和射频半导体

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BAR 63-04 E6327

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.96841
968.41
3,000
¥0.83733
2511.99
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
PIN 二极管
RoHS
是
Vr - 反向电压
50 V
最大二极管电容
0.3 pF
最大串联电阻（中频最大时）
1 Ohms
If - 正向电流
100 mA
Vf - 正向电压
1.2 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
3 GHz
最大工作频率
30 GHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
系列
BAR63
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Series
高度
1 mm
长度
2.9 mm
类型
Switch
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
载流子寿命
0.075 us
最大串联电阻（中频最小时）
2 Ohms
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BAR6304E6327HTSA1 BAR634E6327XT SP000012206
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BAR 63-04 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T18H360W23SR6
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥877.3546
5:¥861.2182
10:¥822.414
25:¥795.068
100:¥740.2743
150:¥678.339
参考库存:42309
VRF141MP
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:3870
CY7B994V-2BBI
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 200MHz 10 IND Programable
1:¥442.3724
5:¥429.8407
10:¥410.1674
25:¥395.6469
参考库存:3978
NLB-400-SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6GHz Gain 15.5dB P1dB 12dBm@2GHz
1:¥26.9731
25:¥20.6677
100:¥16.1364
参考库存:3917
BF 998 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:10067
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