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无线和射频半导体
HMC373LP3E参考图片

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HMC373LP3E

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 lo Noise amp SMT w/Bypass, 0.7 - 1.0 GHz
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数量单价合计
1
¥114.5707
114.5707
10
¥105.3499
1053.499
25
¥100.9655
2524.1375
100
¥88.9762
8897.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
700 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点
20 dBm
增益
14 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
1 dB
OIP3 - 三阶截点
35 dBm
工作电源电流
90 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC373
封装
Cut Tape
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
25 dB
Pd-功率耗散
0.878 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格,HMC373LP3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
数字电位计 IC DIGITAL POTENTIOMETER
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5201
500:¥5.7517
3,000:¥4.0341
参考库存:4250
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.85GHz 802.11a/n/ac
2,500:¥13.1419
参考库存:33751
无线和射频半导体
数字电位计 IC DPP NV Quad 64 taps I2C
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
2,000:¥33.5045
参考库存:3610
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
暂无价格
参考库存:33756
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:33759
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