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无线和射频半导体
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ARF475FL

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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