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无线和射频半导体
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ARF476FL

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥779.5418
779.5418
2
¥755.4163
1510.8326
5
¥755.179
3775.895
10
¥730.8275
7308.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
优势价格，ARF476FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD9901KPZ-REEL
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Ultrahigh Spd Phase/ Freq Discriminator
1,000:¥36.273
2,000:¥35.8097
参考库存:17710
STW81102AT
STMicroelectronics
无线和射频半导体
锁相环 - PLL MULTI-BAND FREQUENCY SYNTHESIZER W/INT
2,940:¥46.1831
参考库存:17713
HMC265-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 I.C. Sub-Harm Downconv20-32GHz Die
2:¥737.2007
6:¥713.4594
10:¥699.1649
26:¥670.7341
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HMC445LP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 x16 Active mult , 9.9 to 11.2 GHz Fout
500:¥477.8657
参考库存:17719
SPF5043ZSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz SSG 12.9dB NF .8dB GaAs
100:¥13.9103
参考库存:17722
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