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无线和射频半导体

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BAR 65-03W E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • PIN 二极管 Silicon PIN Diode 30V 100mA
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.8 pF
最大串联电阻(中频最大时)
900 mOhms
If - 正向电流
100 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
30 MHz
最大工作频率
300 MHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOD-323-2
系列
BAR65
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.05 mm
长度
1.7 mm
类型
Switch
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
载流子寿命
0.08 us
最大串联电阻(中频最小时)
950 mOhms
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BAR6503WE6327HTSA1 BAR653WE6327XT SP000010186
单位重量
33 mg
商品其它信息
优势价格,BAR 65-03W E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:15029
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥25.8205
10:¥23.052
25:¥20.7468
100:¥18.9049
参考库存:15032
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4 GHz SoC supporting 802.15.4 RF4CE
250:¥33.1203
500:¥30.0467
1,000:¥25.3572
2,500:¥24.0464
参考库存:15035
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:15038
CEL
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
1:¥960.50
参考库存:15041
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