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无线和射频半导体

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BAR 65-03W E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • PIN 二极管 Silicon PIN Diode 30V 100mA
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
PIN 二极管
RoHS
是
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.8 pF
最大串联电阻（中频最大时）
900 mOhms
If - 正向电流
100 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
30 MHz
最大工作频率
300 MHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOD-323-2
系列
BAR65
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.05 mm
长度
1.7 mm
类型
Switch
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
载流子寿命
0.08 us
最大串联电阻（中频最小时）
950 mOhms
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BAR6503WE6327HTSA1 BAR653WE6327XT SP000010186
单位重量
33 mg
商品其它信息
优势价格，BAR 65-03W E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZLNB254DEETA
Diodes Incorporated
无线和射频半导体
射频检测器 Dual LNB DiSEqC 8V 2mA Interface IC
3,000:¥4.1471
参考库存:19869
HMC525ALC4TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Mixer
1:¥288.3082
5:¥280.1609
10:¥269.0191
25:¥249.6509
100:¥233.5936
参考库存:13846
MMG3014N-EVKB7
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 2300-2700 MHz used for Band 7
1:¥1,641.9126
5:¥1,553.3206
10:¥1,531.037
25:¥1,420.0823
参考库存:13849
EM3588-RT
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--512 kB flash+64 kB RAM+USB
1:¥61.8562
10:¥58.3984
25:¥56.7034
50:¥55.0197
参考库存:13852
CC2511F8RSP
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2511 8kB Chipset
1:¥53.562
10:¥48.4092
25:¥44.7932
100:¥40.115
参考库存:13855
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