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无线和射频半导体
BFR 193 E6327参考图片

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BFR 193 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 193 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8P9040NR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W
1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
参考库存:15514
CA45
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 1-4GHz NF 4.5dB Pout 19.5dBm SMA
1:¥4,656.1989
10:¥4,489.9194
参考库存:15517
MRFE6S9125NBR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
500:¥487.3238
参考库存:15520
STAC2943
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:15523
SI4311-B21-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 FSK receiver
1:¥43.4146
10:¥39.1884
25:¥34.9622
50:¥33.4254
参考库存:15526
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