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无线和射频半导体
BFR 193 E6327参考图片

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BFR 193 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 193 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频检测器 Dual LNB DiSEqC 8V 2mA Interface IC
3,000:¥4.1471
参考库存:19869
无线和射频半导体
射频混合器 Mixer
1:¥288.3082
5:¥280.1609
10:¥269.0191
25:¥249.6509
100:¥233.5936
参考库存:13846
无线和射频半导体
射频放大器 2300-2700 MHz used for Band 7
1:¥1,641.9126
5:¥1,553.3206
10:¥1,531.037
25:¥1,420.0823
参考库存:13849
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--512 kB flash+64 kB RAM+USB
1:¥61.8562
10:¥58.3984
25:¥56.7034
50:¥55.0197
参考库存:13852
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2511 8kB Chipset
1:¥53.562
10:¥48.4092
25:¥44.7932
100:¥40.115
参考库存:13855
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