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无线和射频半导体
RFM01U7P(TE12L,F)参考图片

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RFM01U7P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
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数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.8368
1283.68
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¥11.30
5650
1,000
¥9.379
9379
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
1.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM01
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC550AE
Analog Devices / Hittite
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45,000:¥0.20001
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10:¥74.2297
25:¥70.7719
100:¥61.472
2,000:¥44.8723
参考库存:17050
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