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无线和射频半导体
BFU530R参考图片

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BFU530R

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067703215
单位重量
9 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
M76H
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器 LO 2.5GHz-10.5GHz IF DC-2GHz
10:¥2,297.516
参考库存:30128
BGS12WN6E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
12,000:¥0.96841
24,000:¥0.88366
48,000:¥0.85315
96,000:¥0.82264
参考库存:30131
NRF24LE1-O17Q48-T
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
射频收发器 ULTR-LW POW WIRELS SOC SOL
260:¥26.9731
520:¥24.0464
1,040:¥20.2835
2,600:¥19.2891
参考库存:30134
UPP1001E3/TR13
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN Diode
12,000:¥10.8367
参考库存:30137
EFR32BG12P332F1024GL125-B
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 2.4 G 10 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
260:¥67.009
520:¥63.3139
1,040:¥62.3195
参考库存:30140
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