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无线和射频半导体
MRF1000MB参考图片

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MRF1000MB

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库存:1,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
332A-03
封装
Tray
工作频率
1090 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF1000MB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 3GHz to 20GHz Microwave Mixer with Integrated IF Balun Transformer
1:¥338.2542
25:¥270.5559
100:¥220.4517
250:¥215.4571
500:¥201.1626
参考库存:2071
无线和射频半导体
射频放大器 .4-2.7GHz NF .85dB Gain 16.2dB
1:¥16.9048
10:¥16.0573
100:¥14.8256
250:¥13.1419
2,500:¥5.6613
参考库存:3626
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.925GHz LNA WiFi 802.11a/n/ac
1:¥5.2997
250:¥4.9155
500:¥4.3053
1,000:¥3.5369
2,500:¥2.8476
5,000:¥2.3052
参考库存:2454
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:1344
无线和射频半导体
射频放大器 1.8 - 2.4 GHz 25 dBm, 31.5 dB
1:¥106.2652
25:¥81.4504
100:¥63.619
250:¥52.7145
2,500:¥36.3408
参考库存:3798
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