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无线和射频半导体
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ARF466BG

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥372.7531
372.7531
2
¥362.6057
725.2114
5
¥352.5374
1762.687
10
¥342.4804
3424.804
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
13 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
增益
16 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
45 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3.3 mS
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
357 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
单位重量
38 g
商品其它信息
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