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无线和射频半导体
ADA4961ACPZN-R7参考图片

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ADA4961ACPZN-R7

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 Wide Dynamic Rage High BW DGA
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库存:6,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥165.8162
165.8162
5
¥160.2905
801.4525
10
¥154.5275
1545.275
25
¥147.1486
3678.715
1,500
¥112.8757
169313.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFCSP-24
类型
Low Distortion
工作频率
3.2 GHz
P1dB - 压缩点
17 dBm
增益
15 dB
工作电源电压
3.3 V to 5 V
NF—噪声系数
9 dB
测试频率
2 GHz
工作电源电流
7.4 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
ADA4961
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
开发套件
EV-ADA4961SDP1Z
输入返回损失
- 40 dB
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
1500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,ADA4961ACPZN-R7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,243.263
参考库存:29488
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M4, USB, +13/+20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
260:¥39.9568
520:¥37.6516
1,040:¥37.1092
参考库存:29491
无线和射频半导体
上下转换器 Microwave HIR
250:¥619.4886
参考库存:29494
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:29497
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.85GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
100:¥19.8202
200:¥18.2156
参考库存:29500
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