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无线和射频半导体
PN5180A0ET/C1QL参考图片

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PN5180A0ET/C1QL

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频前端 High-power NFC Frontend Solution
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库存:4,658(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥55.2457
55.2457
10
¥49.946
499.46
25
¥47.6408
1191.02
100
¥41.3354
4133.54
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频前端
RoHS
类型
General Purpose
工作频率
13.56 MHz
工作电源电压
1.65 V to 3.6 V
工作电源电流
20 mA
最大工作温度
+ 85 C
最大数据速率
848 kb/s
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-64
封装
Tray
工作温度范围
- 30 C to + 85 C
系列
PN5180A
商标
NXP Semiconductors
最小工作温度
- 30 C
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
490
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
935307007151
单位重量
63.419 mg
商品其它信息
优势价格,PN5180A0ET/C1QL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M4, USB, +13 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥38.5782
520:¥36.4199
1,040:¥35.8888
参考库存:30523
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
50:¥2,004.5974
参考库存:30526
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C
3,000:¥10.2943
6,000:¥9.9101
9,000:¥9.5259
参考库存:30529
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥530.7384
参考库存:30532
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3-PLL Clk Syn IND
2,500:¥59.2459
参考库存:30535
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