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无线和射频半导体

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HMC787ALC3B

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频混合器 Double-Balanced - Mixer, 3-11GHz
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库存:4,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥401.263
401.263
5
¥389.1155
1945.5775
10
¥376.9793
3769.793
25
¥364.8318
9120.795
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
3 GHz to 10 GHz
转换损失——最大
11 dB
NF—噪声系数
9 dB
LO频率
3 GHz to 10 GHz
中频
DC to 4 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
封装
Cut Tape
系列
HMC787
技术
GaAs
商标
Analog Devices
开发套件
EV1HMC787ALC3B
湿度敏感性
Yes
OIP3 - 三阶截点
24 dBm
P1dB - 压缩点
15 dBm
Pd-功率耗散
1.044 W
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC787ALC3B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 2.0 dB
1:¥0.92208
50:¥0.84524
100:¥0.7684
500:¥0.69156
1,000:¥0.61472
10,000:¥0.53788
参考库存:11834
无线和射频半导体
射频前端 802.11gn PA in 3x3QFN
1:¥10.9836
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.2036
参考库存:3156
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 6-18GHz 360 deg 6 Bit LSB 5.625
20:¥768.40
40:¥622.404
100:¥507.144
参考库存:2878
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:2870
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 4.5dB Gain 24dB GaAs
1:¥2,114.6368
10:¥2,036.3391
参考库存:2871
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