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无线和射频半导体
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2SK3075(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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数量单价合计
1
¥51.641
51.641
10
¥41.4936
414.936
100
¥37.8776
3787.76
250
¥34.1938
8548.45
1,000
¥25.8205
25820.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3075
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格，2SK3075(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMZ27333BT1
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10:¥63.2348
25:¥56.8616
50:¥54.1722
1,000:¥33.7305
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ST25DV04K-JFR8D3
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10:¥8.8366
100:¥6.78
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MMZ25332BT1
NXP / Freescale
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1:¥75.9925
10:¥67.9243
25:¥61.1669
50:¥58.2402
1,000:¥36.273
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25:¥180.4158
50:¥164.0534
参考库存:3455
SA630D/01,118
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT SWITCH-40 TO+85
1:¥48.6352
10:¥41.3354
100:¥35.8097
250:¥33.9678
2,500:¥24.4306
参考库存:5942
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