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无线和射频半导体
BF1105R,215参考图片

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BF1105R,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.9945
29.945
25
¥2.7007
67.5175
100
¥2.3617
236.17
3,000
¥1.2882
3864.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
7 V, 7 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143R-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V, 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
934050330215
单位重量
9.100 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY12340-364LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 30KHz-2.0GHz Attn 15.5dB .5dB Stp
1:¥46.7933
10:¥42.9513
25:¥39.0302
100:¥35.1204
3,000:¥24.747
参考库存:2226
BGA2815,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 1CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 18.2mA 3.1GHz
1:¥2.4634
10:¥1.9888
100:¥1.356
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.69947
参考库存:5119
TAT8857A1H
Qorvo
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1:¥209.0048
25:¥177.6586
100:¥151.533
250:¥120.1755
1,000:¥78.3768
参考库存:3117
HMC457QS16GE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
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1:¥138.7753
10:¥127.5544
25:¥122.3338
100:¥107.7342
参考库存:2195
MAMX-011023-SMB
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器 4-23GHz NF7dB@12GHz Sample Board
1:¥1,536.80
参考库存:2131
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