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无线和射频半导体
PD85025TR-E参考图片

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PD85025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:2,785(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥219.9884
219.9884
5
¥217.7623
1088.8115
10
¥202.9367
2029.367
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.3638
94418.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85025TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 902-928MHz NF 2.5dB FEM
1:¥29.1992
10:¥26.0465
25:¥23.4362
100:¥21.357
4,500:¥12.6786
参考库存:2811
无线和射频半导体
射频混合器 WidebandPassiveMixer
1:¥379.2054
5:¥368.4478
10:¥353.8482
25:¥328.4119
参考库存:2810
无线和射频半导体
射频放大器 2.4-2.5GHz FEM
1:¥17.6732
250:¥16.1364
500:¥14.1363
1,000:¥11.752
5,000:¥7.6049
参考库存:7259
无线和射频半导体
射频检测器 RMS TruPwr Detectors
1:¥90.2079
10:¥81.8346
25:¥76.9191
50:¥74.0715
1,500:¥61.5511
参考库存:4266
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls -.65nH Cap. .35pF -55C +85C
1:¥15.5262
10:¥13.9894
25:¥12.6786
100:¥11.2209
3,000:¥7.1303
参考库存:5031
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