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无线和射频半导体
PD85025TR-E参考图片

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PD85025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存：2,785(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥219.9884
219.9884
5
¥217.7623
1088.8115
10
¥202.9367
2029.367
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.3638
94418.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD85025TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADF4002BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Phase Detect / PLL Freq Synthesizer
1:¥32.3519
10:¥28.8941
25:¥26.0465
50:¥24.8148
参考库存:3538
LMX2430TMX/NOPB
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.0 GHz/0.8 GHz PLLatinum Dual High Freq
1:¥27.1991
10:¥24.5097
100:¥20.0575
250:¥18.7467
2,500:¥13.673
参考库存:3862
HMC468ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 DC-6 GHz 3 Bit, 1dB LSB DATT
1:¥53.9462
10:¥48.7934
50:¥46.4882
100:¥40.4201
参考库存:2871
ATN3590-04
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 Attn=4dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz
100:¥32.883
300:¥29.6625
500:¥26.5889
1,000:¥22.4418
参考库存:3258
A33-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 2-2400MHz NF 4.0dB Gain 9.0dB
1:¥1,280.6177
参考库存:2770
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