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无线和射频半导体
MRFX1K80HR5参考图片

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MRFX1K80HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
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库存:1,809(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,908.8638
1908.8638
5
¥1,868.5906
9342.953
10
¥1,828.1818
18281.818
25
¥1,782.0778
44551.945
50
¥1,735.8156
86790.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
25.1 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
2247 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935351859178
单位重量
13.159 g
商品其它信息
优势价格,MRFX1K80HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,502.107
5:¥10,423.8884
参考库存:3165
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥5.1528
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
7,500:¥1.7854
参考库存:9097
无线和射频半导体
射频放大器 x4 Active mult SMT, 9.8 - 11.2 GHz Fout
1:¥261.7984
5:¥247.4248
10:¥241.4358
25:¥216.9939
500:¥187.1845
参考库存:3530
无线和射频半导体
衰减器 5-6000MHz DSA 4 bit 15dB Range 1dB step
1:¥29.4252
25:¥22.5887
100:¥17.6732
250:¥14.5996
2,500:¥10.0683
参考库存:4911
无线和射频半导体
射频混合器 3GHz to 20GHz Microwave Mixer with DC to 6GHz IF
1:¥338.2542
25:¥270.5559
100:¥220.4517
250:¥215.4571
500:¥201.1626
参考库存:3608
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