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无线和射频半导体
HMC1190ALP6NE参考图片

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HMC1190ALP6NE

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 上下转换器 Wideband Dual-Dwn convtr/PLL/VCO MCM
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库存:1,411(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥239.9668
239.9668
5
¥226.8362
1134.181
10
¥221.3783
2213.783
25
¥198.9365
4973.4125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
上下转换器
RoHS
产品
Down Converters
射频
700 MHz to 3.8 GHz
中频
50 MHz to 350 MHz
LO频率
50 MHz to 4.1 GHz
增益
4.7 dB
P1dB - 压缩点
17.3 dBm
NF—噪声系数
15.7 dB
工作电源电压
3.3 V, 5 V
工作电源电流
143 mA, 146 mA
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-40
封装
Cut Tape
系列
HMC1190
商标
Analog Devices
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
OIP3 - 三阶截点
27.1 dB
产品类型
Up-Down Converters
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC1190ALP6NE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 Hi-Perf Low Distort 500 MHz
1:¥115.034
10:¥104.4233
25:¥98.1292
50:¥94.5132
参考库存:1695
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:1472
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.84524
参考库存:3309
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 6.2 GHz Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥48.9516
10:¥44.0248
25:¥41.4145
50:¥38.9624
参考库存:1592
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:1474
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