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无线和射频半导体
HMC434ETR参考图片

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HMC434ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 预定标器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 8 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
预定标器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
最大工作频率
8 GHz
最小工作频率
DC
分度
8
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.3 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
输出功率
- 2 dBm
封装 / 箱体
SOT-26-6
系列
HMC434G
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
安装风格
SMD/SMT
工作电源电流
62 mA
工作电源电压
3 V
产品类型
Prescaler
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC434ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 LNAs w/Step Attenuator & VGA
1:¥31.2784
10:¥29.5043
25:¥23.5944
50:¥22.4418
2,500:¥15.0629
参考库存:42612
无线和射频半导体
射频放大器 29-31GHz 4Watt Gain 24dB GaAs
25:¥527.5857
50:¥488.4764
100:¥456.5087
参考库存:2664
无线和射频半导体
射频放大器 Dual-CH Ultra Low Noise
1:¥26.894
10:¥23.9786
25:¥21.5943
50:¥20.5886
参考库存:2639
无线和射频半导体
衰减器 9db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥69.5402
10:¥63.6981
25:¥57.9351
50:¥54.9406
500:¥43.4146
参考库存:3117
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:41073
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