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无线和射频半导体

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HMC-ALH445-SX

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 18-40 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
18 GHz to 40 GHz
P1dB - 压缩点
12 dBm
增益
9 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
4 dB
工作电源电流
45 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH445G
封装
Waffle
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
10 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
2
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH445-SX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 1.29mH 125kHz Transponder Coil
800:¥6.1585
1,600:¥5.2093
3,200:¥4.5652
6,400:¥3.7855
8,000:¥3.4465
16,000:¥2.9719
参考库存:50982
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 PDC Dual Band LNA
4,000:¥8.0682
参考库存:50985
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF:5.5dB VSWR: 3:1
18:¥705.5494
参考库存:50988
无线和射频半导体
RFID应答器 NCF2954EHN/HVQFN32//0500I/REEL 13 Q1 NDP
6,000:¥20.7468
参考库存:50991
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥329.3385
参考库存:50994
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