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无线和射频半导体
A2T21S161W12SR3参考图片

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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
优势价格，A2T21S161W12SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU2860U
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥627.4777
2:¥617.2512
5:¥604.0415
10:¥594.3574
参考库存:18226
HMC465LP5ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 WBand Driver amp SMT, DC - 20 GHz
500:¥2,302.4315
参考库存:18229
PD55015STR-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:18232
AGR09085EF
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 105Watt Gain 18dB
1:¥620.483
5:¥569.3844
10:¥510.986
25:¥452.5876
参考库存:18235
ST25RU3992-BQFT
STMicroelectronics
无线和射频半导体
RFID应答器 UHF RFID Reader IC
1:¥385.1266
5:¥376.5951
10:¥359.3852
25:¥344.2432
参考库存:18238
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