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无线和射频半导体
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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
优势价格，A2T21S161W12SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NT3H2111W0FHKH
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 NT3H2111W0FHK/XQFN8(U)///REEL 7 Q3 NDP
1:¥6.3732
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
4,000:¥2.5764
参考库存:16755
QPA2263ATR7
Qorvo
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射频放大器 DC-5GHz NF 3.8dB Gain 12.9dB
1:¥11.6842
25:¥8.7575
100:¥6.8365
250:¥5.6839
3,000:¥4.3844
参考库存:3698
PN7360AUHN/C300E
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PN7360AUHN/HVQFN64//C300/TRAY SINGLE DP BAKEABLE
1:¥64.4665
10:¥58.2402
25:¥55.5508
100:¥48.251
参考库存:3846
RFPD3210
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218MHz Pwr Dblr Hybrid GaAs/GaN
1:¥327.1802
25:¥308.1284
参考库存:3359
TQL9063
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 1.5-4.0GHz NF .7dB Gain 19dB
1:¥52.9405
25:¥40.567
100:¥31.6626
250:¥26.2047
2,500:¥20.5886
参考库存:4610
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