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无线和射频半导体
A2T21S161W12SR3参考图片

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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:54,534(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
优势价格,A2T21S161W12SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 WLAN/WiMAX Low-Noise Amp
1:¥10.5994
10:¥9.9892
25:¥7.9891
50:¥7.5936
2,500:¥4.7912
参考库存:6906
无线和射频半导体
衰减器 2db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥69.5402
10:¥63.6981
25:¥57.9351
50:¥54.9406
500:¥43.4146
参考库存:3769
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥33.1203
25:¥25.3572
100:¥19.8202
250:¥16.4415
2,500:¥11.3678
参考库存:5689
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz ZigBee/ISM RFeIC PA+LNA+SPDT
1:¥11.6051
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
2,500:¥4.4183
参考库存:15747
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU JenNet-IP ZigBee PRO &IEEE802.15.4 Module
1:¥134.6282
10:¥128.2437
25:¥118.6387
50:¥112.1864
400:¥92.9764
参考库存:4998
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