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无线和射频半导体
PD55035STR-E参考图片

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PD55035STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:54,498(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55035STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥2.8702
100:¥1.5594
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
参考库存:4047
无线和射频半导体
射频放大器 DistributedAmplifier Sample Pack
2:¥2,052.7806
6:¥2,023.7396
10:¥1,965.9514
26:¥1,864.7486
参考库存:2000
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-50GHz SPST AlGaAs IL .3dB
100:¥44.1039
参考库存:2698
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.85GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
1:¥25.3572
250:¥23.278
500:¥20.2835
1,000:¥16.9048
2,500:¥13.5261
参考库存:4500
无线和射频半导体
射频放大器 GPS/GNSS Low-Noise Amplifier
1:¥11.2209
10:¥10.5994
25:¥8.4524
50:¥8.0682
2,500:¥5.4918
参考库存:3104
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