您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
NJG1168PCD-TE1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

NJG1168PCD-TE1

  • NJR
  • 新批次
  • 射频前端 FEM GPS 1.8V 2.8V 2.4mA 0.1uA 83.5dB
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:54,409(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥5.0172
15051.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NJR
产品种类
射频前端
RoHS
类型
GPS
工作频率
1575 MHz
NF—噪声系数
1.65 dB, 1.7 dB
工作电源电压
1.5 V to 3.3 V
工作电源电流
2.4 mA
最大工作温度
+ 85 C
最大数据速率
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HFFP-CD-10
封装
Reel
系列
NJG1168
技术
Silicon
商标
NJR
增益
17 dB, 18 dB
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
- 12 dBm, - 15 dBm, 20 dBm, 23 dBm, 24 dBm
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,NJG1168PCD-TE1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
25:¥1,601.9558
50:¥1,564.4624
参考库存:53804
无线和射频半导体
射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
参考库存:53807
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz SE
50:¥462.1926
100:¥449.4349
参考库存:53810
无线和射频半导体
RFID应答器 NCF29A1XHN/HVQFN32//0504G/REEL 13 Q1 NDP
6,000:¥25.1312
参考库存:53813
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 10 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO, +125
2,500:¥73.6873
参考库存:53816
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们