您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
无线和射频半导体
D1006UK参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

D1006UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 120W-28V-175HMz SE
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：53,311(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥851.6132
42580.66
100
¥828.1092
82810.92
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
14 dB
输出功率
120 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DV
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1006UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR09130EF
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:18591
HMC129ALC4TR-R5
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 4-8GHz DBL-BAL Mixer
500:¥273.1662
参考库存:18594
MICRF218AYQS-TR
Microchip Technology / Micrel
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300MHz to 450MHz, 3.0V to 3.6V, <10kbps, 4mA, Wide-IF Bandwidth ASK Receiver wit
1:¥20.4417
10:¥20.1366
25:¥18.8258
100:¥16.9839
2,500:¥16.9839
参考库存:18597
SI4320-J1-FTR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 RX SubG
1:¥44.7254
10:¥40.341
25:¥36.0357
50:¥34.4198
2,000:¥22.4418
参考库存:18600
EFR32BG12P132F1024GM48-C
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 0 dB BLE/Proprietary 1024 kB 128 kB(RAM) 31GPIO
1:¥58.6244
10:¥55.4039
25:¥53.788
50:¥52.093
100:¥48.8725
参考库存:18603
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-82865099

手机：19129491934

传真：0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们