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无线和射频半导体
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D2004UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
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¥673.9659
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100
¥655.3661
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
58 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2004UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GRF2374
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器
1:¥9.831
10:¥9.379
100:¥8.6784
250:¥7.6275
2,500:¥3.2996
参考库存:4624
QPB8857SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 75OHM 28dB CATV DOUBLE AMPLIFIER
1:¥52.8614
100:¥52.8614
200:¥48.8725
500:¥44.7932
参考库存:2630
MAAM-011229-TR1000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C
1:¥21.6734
10:¥19.3682
25:¥17.4472
50:¥13.673
1,000:¥9.4468
参考库存:4412
QPB9328SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 4.4-5.0 GHz Switch LNA Module
1:¥282.9972
25:¥216.7679
100:¥166.0535
参考库存:2744
QPA3230
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218 Pwr DBLR GaAs/GaN Hybrid
50:¥308.1284
参考库存:2602
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