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无线和射频半导体
PD55008-E参考图片

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PD55008-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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数量单价合计
400
¥88.592
35436.8
800
¥82.9081
66326.48
1,200
¥73.9246
88709.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.6 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55008-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 Sub-GHz 64 kB flash 16 kB RAM 16 GPIO
1:¥40.341
10:¥38.1149
25:¥37.0414
50:¥35.8888
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10:¥52.4094
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5:¥191.1056
10:¥183.8736
25:¥175.5794
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1:¥76.84
25:¥69.156
100:¥61.472
200:¥53.788
500:¥48.025
参考库存:2916
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1:¥4.6104
10:¥4.1132
100:¥3.1527
250:¥2.5651
3,000:¥1.808
参考库存:5472
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