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无线和射频半导体
PD55008-E参考图片

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PD55008-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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数量单价合计
400
¥88.592
35436.8
800
¥82.9081
66326.48
1,200
¥73.9246
88709.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.6 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD55008-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJG1143UA2-TE1
NJR
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射频放大器 Low Noise Amp GaAs MMIC 1.5V to 3.6V
1:¥6.7574
10:¥6.0116
25:¥5.085
50:¥4.5652
5,000:¥4.068
参考库存:6261
ZL70250UEJ2
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1:¥87.7558
10:¥79.7554
25:¥73.7664
50:¥69.7662
参考库存:1653
SI4460-C2A-GMR
Silicon Labs
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1:¥18.2834
10:¥17.8992
25:¥17.5941
50:¥17.289
2,500:¥16.6788
参考库存:4328
32397
Parallax
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RFID应答器 RFID Disk Tag 25MM
1:¥9.9101
5:¥9.4468
10:¥8.9948
25:¥8.4524
50:¥8.3733
参考库存:1690
BFS 17P E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:49851
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