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无线和射频半导体
HMC407MS8G参考图片

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HMC407MS8G

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 5 - 7 GHz
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数量单价合计
46
¥133.1592
6125.3232
100
¥126.56
12656
250
¥120.7179
30179.475
500
¥114.8758
57437.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
类型
Power Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
5 GHz to 7 GHz
P1dB - 压缩点
25 dBm
增益
15 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
5.5 dB
OIP3 - 三阶截点
37 dBm
工作电源电流
230 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC407
封装
Cut Tape
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC407MS8G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
数字电位计 IC DIGITAL POTENTIOMETER
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5201
500:¥5.7517
3,000:¥4.0341
参考库存:4250
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.85GHz 802.11a/n/ac
2,500:¥13.1419
参考库存:33751
无线和射频半导体
数字电位计 IC DPP NV Quad 64 taps I2C
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
2,000:¥33.5045
参考库存:3610
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
暂无价格
参考库存:33756
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:33759
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