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无线和射频半导体
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PTVA030121EA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥468.0347
117008.675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
25 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA030121EA-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD5293BRUZ-100-RL7
Analog Devices
无线和射频半导体
数字电位计 IC 1024-pos 1% w/SPI interface
1:¥48.1041
10:¥43.2564
25:¥40.7252
50:¥38.2618
1,000:¥26.5889
参考库存:5174
TGA2595-CP
Qorvo
无线和射频半导体
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暂无价格
参考库存:33358
TGA2704-SM
Qorvo
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射频放大器 9-11GHz 8 Watt Gain 21 dB
暂无价格
参考库存:33361
HMC361S8GETR
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预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 10 GHz
暂无价格
参考库存:33364
HMC7149
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Die 10 Watt Aap 6-18GHz
暂无价格
参考库存:33367
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