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无线和射频半导体
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D1013UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
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数量单价合计
50
¥380.4371
19021.855
100
¥377.2844
37728.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
增益
13 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1013UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 4-output, any frequency (< 200 MHz), any output, clock generator (Spread Spectrum inc/dec pin ctrl)
2,500:¥38.646
参考库存:12993
无线和射频半导体
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1:¥848.0085
5:¥820.6512
10:¥804.2888
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无线和射频半导体
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1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
参考库存:12999
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
1:¥386.7312
5:¥378.0528
10:¥363.295
25:¥351.543
参考库存:13002
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Frequency Synthesizer System with Integr
1,000:¥25.1312
2,000:¥23.8995
参考库存:13005
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