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无线和射频半导体
PTFB212503FL-V2-R0参考图片

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PTFB212503FL-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:52,138(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥823.8039
41190.195
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB212503FL-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC .05-2.7GHz 100W IL .4dB typ.
1:¥61.5511
10:¥55.6299
25:¥52.7145
50:¥48.3301
3,000:¥34.0356
参考库存:3626
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 256K SOC Ind125C T&R
1:¥44.7254
10:¥44.1039
25:¥40.8043
4,000:¥38.1149
参考库存:5349
无线和射频半导体
射频放大器 1805-2170MHz SSG 14.5dB NF 1.1dB
1:¥17.8314
10:¥14.3736
100:¥12.9046
250:¥11.526
3,000:¥7.3676
参考库存:1551
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
500:¥154.1433
参考库存:1859
无线和射频半导体
射频混合器 Single 1GHz Low Side Inject w/o IF Amp
1:¥96.6602
10:¥87.6767
25:¥82.4448
50:¥79.3712
1,500:¥56.3983
参考库存:2561
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