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无线和射频半导体
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D2005UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
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数量单价合计
50
¥416.9361
20846.805
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2005UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 300-2200MHz NF .23dB @ 849MHz
1:¥48.4883
10:¥43.3355
25:¥38.9624
100:¥35.5046
3,000:¥21.8994
参考库存:3735
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥3,513.3508
参考库存:2988
无线和射频半导体
锁相环 - PLL HIGH PERF FREQUENCY SYNTHESIZER SYSTEM
1:¥89.8237
10:¥82.5239
25:¥78.2977
100:¥69.7662
250:¥66.3084
参考库存:3244
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz Gain >24dB GaN PAE >31%
50:¥325.7225
100:¥246.5773
250:¥219.5364
参考库存:3032
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB IND
1:¥125.4752
10:¥114.0283
25:¥105.4968
50:¥96.8975
参考库存:3495
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