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无线和射频半导体
GTVA220701FA-V1-R0参考图片

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GTVA220701FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:51,420(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥878.2021
43910.105
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13.5 A
输出功率
45 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 2170 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA220701FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 13 - 24.6 GHz Fout
1:¥397.1046
5:¥385.8159
10:¥370.527
25:¥343.859
100:¥321.6545
参考库存:2933
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,844.16
25:¥1,664.3544
参考库存:2933
无线和射频半导体
射频放大器 DOUBLE BALANCED MIXER
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:10169
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz SiGe High Variable IP3
1:¥34.9622
10:¥33.0412
25:¥26.4307
50:¥25.1312
2,500:¥17.1308
参考库存:4765
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:7466
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