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无线和射频半导体
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D2229UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
F-0127-8
配置
Single
高度
2.31 mm
长度
6.5 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.5 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2229UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADF4106BRUZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Freq Synthesizer
1:¥42.6462
10:¥38.0358
25:¥34.2729
50:¥32.657
1,000:¥21.8994
参考库存:1216
HMC313
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥31.1202
10:¥28.0466
50:¥28.0466
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:1235
ATWILC1000-MR1100B
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartConnect ATWILC1000B-MU-T Module - SmartConnect ATWILC1000B-MU-T Module
1:¥108.4235
10:¥98.0501
25:¥90.287
50:¥88.7502
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CY7B991V-5JXIT
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无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 80MHz 8 TTL IND Programable
1:¥238.9724
5:¥227.6724
10:¥221.0732
25:¥203.1627
750:¥164.9009
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HMC-ALH311-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp 22-26.5GHz
2:¥775.9258
6:¥750.9528
10:¥735.9012
26:¥705.9336
参考库存:39471
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