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无线和射频半导体
D2009UK参考图片

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D2009UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
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数量单价合计
50
¥619.5564
30977.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DQ
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
58 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2009UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器
10:¥2,603.8025
参考库存:29213
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC BGA125 2.4 G 10 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
260:¥72.6929
520:¥68.6136
1,040:¥67.6192
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无线和射频半导体
PIN 二极管 Bands K and Ka Series Pair
100:¥68.6136
300:¥63.3139
500:¥61.0087
参考库存:4387
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 0 dB BLE/proprietary 512 kB 64 kB (RAM) 16GPIO
2,500:¥31.5835
参考库存:29221
无线和射频半导体
射频放大器 16-18GHz GaAs Gain 28dB RL 9dB
100:¥202.5525
300:¥182.269
500:¥164.0534
参考库存:29224
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