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无线和射频半导体
A2T21H360-23NR6参考图片

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A2T21H360-23NR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:31,431(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥853.15
127972.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 5 V
增益
16.8 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935322358528
单位重量
5.296 g
商品其它信息
优势价格,A2T21H360-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 433MHz FSK/ ASK high power Transmitter
1:¥14.5205
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:42087
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz WLAN/BT RFeIC PA+LNA+SP3T, 3.3V
1:¥8.4524
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.6217
2,500:¥3.2544
参考库存:6137
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 7.0 - 15.5 GHz
1:¥1,355.4576
5:¥1,320.6536
10:¥1,268.4702
25:¥1,243.1921
100:¥1,220.6034
参考库存:42092
无线和射频半导体
上下转换器 71-76GHz IQ LNC Sample
2:¥2,068.1486
6:¥2,038.8703
10:¥1,980.6301
26:¥1,878.738
参考库存:3646
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 3dB Gain 15dB 75 Ohm
1:¥32.0468
10:¥24.747
100:¥22.5096
250:¥20.3626
1,000:¥14.9047
参考库存:3849
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