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无线和射频半导体
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PTVA030121EA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥468.0347
23401.735
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
25 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA030121EA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPB9329TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 3.8-5GHz FEM Dual Channel 3-5V
1:¥302.5236
25:¥231.7517
100:¥177.5004
250:¥138.538
2,500:¥90.3661
参考库存:4054
EFR32BG14P532F256GM32-B
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth SoC QFN32 2.4 G 0 dB BLE multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO
1:¥31.8886
10:¥31.2784
25:¥30.736
50:¥29.5043
参考库存:2079
LT5534ESC6#TRPBF
Analog Devices
无线和射频半导体
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1:¥87.3716
25:¥57.9351
100:¥47.8668
250:¥45.4938
2,500:¥41.4936
参考库存:3326
MADT-011000-DIE
MACOM
无线和射频半导体
射频检测器
100:¥116.955
300:¥106.9658
500:¥96.8975
1,000:¥88.9084
参考库存:1667
F1977NBGI
IDT
无线和射频半导体
衰减器 F1977 RF Switch
1:¥51.2568
10:¥45.7198
25:¥41.1885
50:¥39.3466
参考库存:2046
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