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无线和射频半导体
HMC774ALC3BTR参考图片

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HMC774ALC3BTR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频混合器 GaAsMMIC Fundamental mix SMT, 7-34 GHz
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¥572.7631
57276.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
7 GHz to 20 GHz
转换损失——最大
15.5 dB
NF—噪声系数
12 dB
LO频率
7 GHz to 34 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
封装
Reel
系列
HMC774
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
开发套件
EV1HMC774ALC3B
OIP3 - 三阶截点
20 dBm
P1dB - 压缩点
13 dB
Pd-功率耗散
189 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC774ALC3BTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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250:¥1,072.3022
参考库存:27275
无线和射频半导体
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10:¥1,347.3894
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45:¥134.696
50:¥127.3962
100:¥123.7124
250:¥112.7966
参考库存:27281
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
250:¥723.7537
参考库存:27284
无线和射频半导体
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1,000:¥31.6626
2,000:¥30.0467
参考库存:27287
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