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无线和射频半导体
MT3S113(TE85L,F)参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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MT3S113(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW
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库存:28,389(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥2.0792
6237.6
9,000
¥2.0001
18000.9
24,000
¥1.921
46104
45,000
¥1.8984
85428
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S113
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Reel
工作频率
12.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MT3S113(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Ultra-Lo Noise PLLatinum Freq Synth
1:¥106.1183
10:¥97.5868
25:¥92.5131
100:¥82.4448
250:¥78.3768
参考库存:4436
无线和射频半导体
射频放大器 824-1910MHz 34dB Gain
1:¥71.4612
25:¥54.7824
100:¥42.8044
250:¥35.5046
2,500:¥27.9675
参考库存:6607
无线和射频半导体
射频放大器 700-915MHz NF .32dB Gain 20.5dBm
1:¥126.6278
25:¥96.9766
100:¥75.7665
250:¥62.7037
2,500:¥49.4036
参考库存:6704
无线和射频半导体
PIN 二极管 .2-4.0GHz -40C +85C RL 14dB Pin CW 30dBm
1:¥45.5616
10:¥40.9512
25:¥37.0414
50:¥35.1204
3,000:¥22.6678
参考库存:8459
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Reduction SSCGs COM
1:¥51.2568
10:¥47.0306
25:¥42.7253
50:¥40.7252
参考库存:4670
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