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无线和射频半导体
HMC329ALC3BTR-R5参考图片

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HMC329ALC3BTR-R5

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库存:27,084(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥326.2649
163132.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
24 GHz to 32 GHz
转换损失——最大
13.5 dB
NF—噪声系数
12 dB
LO频率
24 GHz to 32 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
系列
HMC329
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
开发套件
EV1HMC329ALC3B
OIP3 - 三阶截点
20 dBm
P1dB - 压缩点
12 dBm
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC329ALC3BTR-R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID HTAG ADVANCED
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
5,000:¥1.1639
参考库存:4558
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:41452
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC EM260 ZigBee 2.4GHz Network Coprocessor
1:¥98.5134
10:¥86.7501
25:¥74.9981
50:¥71.4612
3,500:¥50.0251
参考库存:41455
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,581.6723
参考库存:3009
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Smart BLE 4.1 ATBTLC1000
1:¥38.2618
10:¥34.4198
25:¥31.2784
50:¥29.3574
4,000:¥17.6732
参考库存:3589
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