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无线和射频半导体
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HMC329ALC3BTR-R5

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数量单价合计
500
¥326.2649
163132.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
是
射频
24 GHz to 32 GHz
转换损失——最大
13.5 dB
NF—噪声系数
12 dB
LO频率
24 GHz to 32 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
系列
HMC329
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
开发套件
EV1HMC329ALC3B
OIP3 - 三阶截点
20 dBm
P1dB - 压缩点
12 dBm
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格，HMC329ALC3BTR-R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MASW20000
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2:¥1,221.6769
6:¥1,204.467
10:¥1,170.0472
26:¥1,109.7956
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AFT09MP055NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
1:¥145.3858
10:¥133.6225
25:¥127.7126
100:¥112.8757
500:¥97.5077
参考库存:15315
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