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无线和射频半导体
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2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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数量单价合计
1,000
¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
优势价格，2SK3079ATE12LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC3587LP3BE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 amp, 4 - 10 GHz Gain Block
1:¥180.348
5:¥170.5057
10:¥166.3586
25:¥149.5329
参考库存:2549
MRF10502
MACOM
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
1:¥2,303.4372
参考库存:2508
LTC5585IUF#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 Wideband I/Q Demodulator with IIP2 and DC Offset Control
1:¥111.1129
25:¥73.8455
100:¥61.0087
250:¥58.0142
参考库存:2648
HMC341-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Sample,I.C., amp, 24-30 GHz, Die
2:¥805.5883
6:¥779.6209
10:¥764.0156
26:¥732.8954
参考库存:2497
2SC5551AF-TD-E
ON Semiconductor
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:8397
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