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无线和射频半导体
PD57006S-E参考图片

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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:18,085(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57006S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 27dB IL .4dB @2.4GHz
1:¥7.6049
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.8081
3,000:¥2.4973
参考库存:8025
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V/5V Programmable PLL Clock Generator
1:¥127.7804
10:¥117.4861
25:¥112.6497
100:¥99.2027
参考库存:2541
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Sub-1GHz SoC w/ MCU & 16kB Flash memory
1:¥46.9515
10:¥42.1829
100:¥34.4989
250:¥32.431
500:¥29.3574
参考库存:4004
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:8136
无线和射频半导体
射频放大器 50-850MHz SSG 15.5dB NF 3.5dB max.
1:¥40.8043
25:¥31.2784
100:¥24.4306
250:¥20.2835
500:¥18.2156
1,000:¥15.9782
参考库存:4310
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