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无线和射频半导体
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D2219UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥183.5685
183.5685
10
¥162.1324
1621.324
25
¥147.0695
3676.7375
50
¥130.9331
6546.655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 5 V
商品其它信息
优势价格，D2219UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP640FH6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
3,000:¥1.1639
参考库存:12069
HFA3102BZ
Renesas / Intersil
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14
1:¥45.6407
10:¥41.2676
50:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:3632
MMBT5179
ON Semiconductor / Fairchild
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:39392
NJG1806K75-TE1
NJR
无线和射频半导体
RF 开关 IC 1bit SPDT Switch IC GaAs MMIC 1.8V
1:¥1.8419
10:¥1.6724
25:¥1.4238
50:¥1.2769
5,000:¥1.13
参考库存:3934
AD8345AREZ-RL7
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 140MHz TO 1000MHz Quadrature
1:¥80.9871
10:¥73.5404
25:¥69.0769
50:¥66.5457
1,000:¥47.2566
参考库存:2858
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