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无线和射频半导体
RFM12U7X(TE12L,Q)参考图片

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RFM12U7X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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数量单价合计
1
¥70.1504
70.1504
10
¥63.167
631.67
25
¥57.5509
1438.7725
100
¥51.9461
5194.61
1,000
¥37.8776
37877.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM12
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
优势价格，RFM12U7X(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADF4150BCPZ
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1:¥44.183
10:¥39.4935
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MAX2014EUA+
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1,000:¥34.578
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CC1110F8RHHR
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1:¥37.6516
10:¥33.8887
100:¥27.7415
250:¥26.0465
2,500:¥18.9049
参考库存:5624
ADF7020BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
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1:¥40.341
10:¥35.9566
25:¥32.431
50:¥30.8942
参考库存:3448
BGU6104,147
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 LNA MMIC 4GHz 2.2dB
1:¥6.5314
10:¥5.7743
25:¥5.2206
100:¥4.5652
5,000:¥2.2713
参考库存:6625
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