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无线和射频半导体
RFM12U7X(TE12L,Q)参考图片

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RFM12U7X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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数量单价合计
1
¥70.1504
70.1504
10
¥63.167
631.67
25
¥57.5509
1438.7725
100
¥51.9461
5194.61
1,000
¥37.8776
37877.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM12
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
优势价格，RFM12U7X(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TRF3705IRGET
Texas Instruments
无线和射频半导体
调节器/解调器 300MHz to 4GHz Quad- rature Modulator
1:¥83.2923
10:¥76.614
25:¥72.6138
100:¥64.7038
250:¥61.472
参考库存:1822
BFP720H6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3448
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:7230
MA8334-001
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 10-1000MHz SPDT 100W IL .35dB
1:¥203.9311
5:¥193.0266
参考库存:1770
HMC653LP2ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 Fixed atten-3db
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥43.957
100:¥38.194
500:¥33.2672
参考库存:1978
F1701NBGI
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 Ultra-Linear Single Ch Mixer Rx 11.8dB
1:¥80.682
10:¥72.6138
25:¥66.1615
50:¥61.3138
参考库存:2163
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