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无线和射频半导体
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QPD1016

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
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参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
23.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 1.5 V
Id-连续漏极电流
70 A
输出功率
680 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
714 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
DC to 1.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1016EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1016的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HSP50216KIZ
Renesas / Intersil
无线和射频半导体
上下转换器 MULTI-CH PROGRAM CONV BGA PKG IND
24:¥781.9261
25:¥755.8796
100:¥703.7753
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MA4GP905
MACOM
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100:¥51.3246
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1,000:¥42.8044
2,000:¥39.8777
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DME2127-000
Skyworks Solutions, Inc.
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100:¥68.6136
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500:¥61.0087
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MA4EX900L1-1226T
MACOM
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射频混合器
1:¥62.6246
10:¥56.3192
25:¥51.1777
100:¥46.33
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SI1015-C-GM2
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
364:¥34.9622
728:¥34.7362
1,092:¥34.2729
参考库存:29407
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