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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	否
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-3
类型	High IP3 Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.5 GHz
P1dB - 压缩点	27.5 dBm
增益	12.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	5.2 dB
OIP3 - 三阶截点	42 dBm
工作电源电流	150 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC454
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
Pd-功率耗散	0.89 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	130.500 mg

商品其它信息

优势价格，HMC454ST89的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RFFM4591FSR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5GHz WiFi FEM	100:¥19.8202 200:¥18.2156	参考库存:28215
RFFM8550BTR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5GHz WiFi FEM BRCM	2,500:¥5.8421 5,000:¥4.7686	参考库存:28218
82V3391BEQG8	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Gigabit Ethernet PLL	750:¥533.9589	参考库存:28221
AGR26180EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB	10:¥968.184 30:¥857.5344 50:¥774.5472 100:¥746.8848	参考库存:28224
TGF2160	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE	100:¥132.7072 300:¥124.0175 500:¥115.9493	参考库存:28227