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无线和射频半导体
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STAC2932BW

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
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1
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919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
20 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244B
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC2932B
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5 s
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
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