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无线和射频半导体
A2T18S262W12NR3参考图片

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A2T18S262W12NR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥625.6358
625.6358
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.5152
5865.152
25
¥566.921
14173.025
100
¥527.8908
52789.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.3 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935346497528
单位重量
3.790 g
商品其它信息
优势价格，A2T18S262W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC424ALP3ETR
Analog Devices
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500:¥143.3857
参考库存:17131
AGR18060EF
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1:¥783.768
5:¥719.2224
10:¥645.456
25:¥571.6896
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25:¥71.6194
100:¥55.935
250:¥46.4091
500:¥41.5727
1,000:¥41.5727
参考库存:17140
ADL6010SCPZN-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 Microwave Detector
3,000:¥1,082.5965
参考库存:17143
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