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无线和射频半导体
D2213UK参考图片

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D2213UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
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数量单价合计
1
¥1,009.3725
1009.3725
10
¥891.2649
8912.649
25
¥790.9887
19774.7175
50
¥749.6533
37482.665
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
83 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2213UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥84.6822
10:¥77.5293
20:¥70.5346
50:¥66.8508
参考库存:3304
无线和射频半导体
RF 开关 IC Switches
2:¥915.9328
6:¥899.254
10:¥872.6764
26:¥841.7031
参考库存:3210
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP4T Switch
1:¥64.9298
10:¥58.7035
25:¥55.935
100:¥48.5674
500:¥42.3411
参考库存:4490
无线和射频半导体
射频放大器 Hi EFF Amp 2700MHz
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
6,000:¥12.9046
参考库存:8384
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7402
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1526
参考库存:60393
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