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无线和射频半导体
D1040UK参考图片

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D1040UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
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库存:13,486(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,923.9945
1923.9945
10
¥1,698.9324
16989.324
25
¥1,541.4104
38535.26
50
¥1,445.7446
72287.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
35 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16 dB
输出功率
400 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
108 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1040UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Common Anode
1:¥10.2943
10:¥9.2208
25:¥7.9891
100:¥7.2207
3,000:¥4.2714
参考库存:4800
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL + VCO 2700-4200MHz
1:¥162.2906
5:¥153.3749
10:¥149.6798
25:¥134.5491
参考库存:25388
无线和射频半导体
射频接收器 IC 11 Bit IF Diversity 3G Rcvr
1:¥743.9694
5:¥730.4433
10:¥703.312
25:¥666.1237
参考库存:2559
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥24.2046
10:¥21.8203
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:3031
无线和射频半导体
射频混合器 .815GHz-1GHz Up/Down Mixer
1:¥113.113
10:¥103.96
25:¥83.9816
250:¥78.1508
参考库存:2626
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