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无线和射频半导体
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D2013UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥1,011.2935
1011.2935
10
¥889.2648
8892.648
25
¥790.4576
19761.44
50
¥709.075
35453.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
83 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2013UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPC9314TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.3-2.7GHz NF 1.2dB
1:¥224.531
25:¥171.9634
100:¥134.3118
250:¥111.192
2,500:¥87.5185
参考库存:33442
HMC1087
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暂无价格
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无线和射频半导体
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CGHV1J070D-GP4
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
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暂无价格
参考库存:33454
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