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无线和射频半导体
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D2013UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥1,011.2935
1011.2935
10
¥889.2648
8892.648
25
¥790.4576
19761.44
50
¥709.075
35453.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
83 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2013UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF3933MP
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥1,535.4892
25:¥1,514.4373
50:¥1,410.6242
参考库存:27454
MMRF1312HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:27457
EZR32WG230F64R60G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M4, +13 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥33.6514
520:¥31.8095
1,040:¥31.2784
参考库存:27460
LT5511EFE#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Hi Signal Level Upconverting Mixer
95:¥45.7198
190:¥37.8098
285:¥35.8888
570:¥35.1204
1,045:¥33.7305
参考库存:27463
SI4055-B1A-FMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器 TX SubG
2,500:¥9.605
参考库存:27466
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